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济发建设（c,d）VDD=0.5V时弹道2DInSeFET和VDD=1V时LG低于50nm的其他2DFET（VDD=VDS=VGS）的导通电流（ION）和峰值跨导比较。该研究设计的InSeFET可以有效抑制短沟道效应，年行5年其低亚阈值摆动（SS）为每十年75mV，漏极诱导的势垒降低（DIBL）为22mVV-1。动方电网电厂（j）使用Y掺杂诱导相变接触的典型10nm弹道InSeFET和直接使用传统Ti/Au接触的典型10nmInSeFET的输出特性。

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